IRF1010ZSTRLPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 55В |
| Ток стока макс.: | 75A |
| Сопротивление открытого канала: | 7.5 мОм |
| Мощность макс.: | 140Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 95нКл |
| Входная емкость: | 2840пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | D2Pak (TO-263) |
| Вес брутто: | 1.35 г. |
| Наименование: | IRF1010ZSTRLPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 800 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор N-канала IRF1010ZSTRLPBF от компании Infineon Technologies. Этот компонент обладает впечатляющими техническими характеристиками и подходит для широкого спектра применений в электронике.
Транзистор IRF1010ZSTRLPBF отличается максимальным напряжением сток-исток 55 В и максимальным током стока 75 А. Сопротивление открытого канала составляет всего 7,5 мОм, что обеспечивает высокую эффективность и низкие потери. Максимальная мощность, которую может рассеивать этот транзистор, достигает 140 Вт.
- Напряжение исток-сток макс.: 55В
- Ток стока макс.: 75A
- Сопротивление открытого канала: 7.5 мОм
- Мощность макс.: 140Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 4В
- Заряд затвора: 95нКл
- Входная емкость: 2840пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Корпус: D2Pak (TO-263)
- Вес брутто: 1.35 г
- Описание Eng: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Нормоупаковка: 800 шт
Транзистор IRF1010ZSTRLPBF идеально подходит для использования в различных силовых электронных схемах, таких как импульсные источники питания, инверторы, регуляторы напряжения, электроприводы и другие высокотоковые приложения. Его высокая надежность и эффективность делают его незаменимым компонентом в современной электронной промышленности.