Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор MOSFET N-канального типа IRF1104PBF от компании Infineon Technologies. Этот транзистор отличается надежностью, эффективностью и широкими возможностями применения в различных электронных устройствах.

Ключевые характеристики транзистора IRF1104PBF:

• Напряжение исток-сток макс.: 40В
• Ток стока макс.: 100A
• Сопротивление открытого канала: 9 мОм
• Мощность макс.: 170Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Пороговое напряжение включения макс.: 4В
• Заряд затвора: 93нКл
• Входная емкость: 2900пФ
• Тип монтажа: Through Hole
• Корпус: TO-220AB
• Вес брутто: 3.1 г.
• Описание Eng: MOSFET N-CH 40V 100A TO-220AB, 170W
• Тип упаковки: Tube (туба)
• Нормоупаковка: 50 шт

Транзистор IRF1104PBF идеально подходит для использования в высокомощных приложениях, таких как инверторы, преобразователи, сварочные аппараты, электродвигатели и другие устройства, требующие надежного и эффективного управления током. Благодаря своим характеристикам, он обеспечивает отличную производительность и энергоэффективность, что делает его востребованным выбором для инженеров и разработчиков электронных систем.