IRF1310NSTRLPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 42A
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 42A |
| Сопротивление открытого канала: | 36 мОм |
| Мощность макс.: | 3.8Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 110нКл |
| Входная емкость: | 1900пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | D2Pak (TO-263) |
| Вес брутто: | 2.32 г. |
| Наименование: | IRF1310NSTRLPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 800 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию высококачественный полевой MOSFET транзистор IRF1310NSTRLPBF от ведущего производителя Infineon Technologies. Этот мощный N-канальный транзистор с напряжением сток-исток до 100В и током стока до 42A обеспечивает надежную и эффективную работу в широком спектре электронных устройств.
Благодаря низкому сопротивлению открытого канала 36 мОм и максимальной мощности 3.8Вт, данный транзистор демонстрирует высокую производительность и энергоэффективность. Компактный корпус D2Pak (TO-263) и возможность поверхностного монтажа позволяют легко интегрировать его в современные электронные схемы.
- Напряжение исток-сток макс.: 100В
- Ток стока макс.: 42A
- Сопротивление открытого канала: 36 мОм
- Мощность макс.: 3.8Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 4В
- Заряд затвора: 110нКл
- Входная емкость: 1900пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Корпус: D2Pak (TO-263)
- Вес брутто: 2.32 г.
- Описание Eng: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Нормоупаковка: 800 шт
Транзистор IRF1310NSTRLPBF находит широкое применение в различных областях электроники, таких как силовые преобразователи, инверторы, источники питания, системы управления двигателями и многое другое. Его высокая производительность и надежность позволяют создавать эффективные и долговечные электронные устройства.