• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

IRF1405STRLPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 131A

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:Infineon Technologies
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:55В
Ток стока макс.:131A
Сопротивление открытого канала:5.3 мОм
Мощность макс.:200Вт
Тип транзистора:N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:260нКл
Входная емкость:5480пФ
Тип монтажа:Surface Mount
Корпус:D2Pak (TO-263)
Вес брутто:1.67 г.
Наименование:IRF1405STRLPBF
Производитель:Infineon Technologies
Описание Eng:MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK
Тип упаковки:Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:800 шт

Описание

Представляем вашему вниманию полевой транзистор MOSFET модели IRF1405STRLPBF от ведущего производителя Infineon Technologies. Данный компонент относится к категории одиночных N-канальных MOSFET транзисторов, предназначенных для использования в широком спектре электронных устройств и силовых схемах.

Транзистор IRF1405STRLPBF отличается высокой надежностью, эффективностью и производительностью. Он обладает внушительными характеристиками, такими как максимальное напряжение сток-исток 55 В, максимальный ток стока 131 А и низкое сопротивление открытого канала всего 5.3 мОм. Эти параметры делают данный MOSFET идеальным решением для применения в мощных инверторах, источниках питания, электродвигателях и других энергоемких системах.

  • Напряжение исток-сток макс.: 55В
  • Ток стока макс.: 131A
  • Сопротивление открытого канала: 5.3 мОм
  • Мощность макс.: 200Вт
  • Тип транзистора: N-канал
  • Пороговое напряжение включения макс.:
  • Заряд затвора: 260нКл
  • Входная емкость: 5480пФ
  • Тип монтажа: Surface Mount
  • Корпус: D2Pak (TO-263)
  • Вес брутто: 1.67 г
  • Описание Eng: MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK
  • Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
  • Нормоупаковка: 800 шт

Транзистор IRF1405STRLPBF находит широкое применение в различных отраслях электроники и силовой техники, где требуется высокая производительность и эффективность. Он идеально подходит для использования в импульсных источниках питания, преобразователях напряжения, регуляторах мощности, электродвигателях и других энергоемких системах. Благодаря своим выдающимся характеристикам, данный MOSFET транзистор является надежным и эффективным решением для современных энергосберегающих технологий.