IRF1405STRLPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 131A
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 55В |
| Ток стока макс.: | 131A |
| Сопротивление открытого канала: | 5.3 мОм |
| Мощность макс.: | 200Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 260нКл |
| Входная емкость: | 5480пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | D2Pak (TO-263) |
| Вес брутто: | 1.67 г. |
| Наименование: | IRF1405STRLPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 800 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию полевой транзистор MOSFET модели IRF1405STRLPBF от ведущего производителя Infineon Technologies. Данный компонент относится к категории одиночных N-канальных MOSFET транзисторов, предназначенных для использования в широком спектре электронных устройств и силовых схемах.
Транзистор IRF1405STRLPBF отличается высокой надежностью, эффективностью и производительностью. Он обладает внушительными характеристиками, такими как максимальное напряжение сток-исток 55 В, максимальный ток стока 131 А и низкое сопротивление открытого канала всего 5.3 мОм. Эти параметры делают данный MOSFET идеальным решением для применения в мощных инверторах, источниках питания, электродвигателях и других энергоемких системах.
- Напряжение исток-сток макс.: 55В
- Ток стока макс.: 131A
- Сопротивление открытого канала: 5.3 мОм
- Мощность макс.: 200Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 4В
- Заряд затвора: 260нКл
- Входная емкость: 5480пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Корпус: D2Pak (TO-263)
- Вес брутто: 1.67 г
- Описание Eng: MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Нормоупаковка: 800 шт
Транзистор IRF1405STRLPBF находит широкое применение в различных отраслях электроники и силовой техники, где требуется высокая производительность и эффективность. Он идеально подходит для использования в импульсных источниках питания, преобразователях напряжения, регуляторах мощности, электродвигателях и других энергоемких системах. Благодаря своим выдающимся характеристикам, данный MOSFET транзистор является надежным и эффективным решением для современных энергосберегающих технологий.