IRF2805PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75А 330Вт
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 55В |
| Ток стока макс.: | 75A |
| Сопротивление открытого канала: | 4.7 мОм |
| Мощность макс.: | 330Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 230нКл |
| Входная емкость: | 5110пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220AB |
| Вес брутто: | 2.94 г. |
| Наименование: | IRF2805PBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB, 330W |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию полевой MOSFET транзистор IRF2805PBF от компании Infineon Technologies. Этот мощный N-канальный транзистор предназначен для использования в широком спектре электронных устройств, требующих высокую токовую нагрузку и надежность при работе.
Транзистор IRF2805PBF отличается впечатляющими техническими характеристиками: максимальное напряжение сток-исток до 55В, максимальный ток стока до 75А и максимальная мощность до 330Вт. Его низкое сопротивление открытого канала всего 4.7 мОм обеспечивает высокую эффективность и минимальные потери энергии.
- Напряжение исток-сток макс.: 55В
- Ток стока макс.: 75A
- Сопротивление открытого канала: 4.7 мОм
- Мощность макс.: 330Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 4В
- Заряд затвора: 230нКл
- Входная емкость: 5110пФ
- Тип монтажа: Through Hole
- Корпус: TO-220AB
Благодаря своим техническим характеристикам, транзистор IRF2805PBF находит широкое применение в различных силовых электронных устройствах, таких как импульсные источники питания, инверторы, электродвигатели, сварочное оборудование, зарядные устройства и многое другое. Его надежность и высокая производительность делают его незаменимым компонентом в современной электронике.