IRF2807ZPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 75А 170Вт
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 75В |
| Ток стока макс.: | 75A |
| Сопротивление открытого канала: | 9.4 мОм |
| Мощность макс.: | 170Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 110нКл |
| Входная емкость: | 3270пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220AB |
| Вес брутто: | 2.92 г. |
| Наименование: | IRF2807ZPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 75V 75A TO-220AB |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию мощный полевой N-канальный транзистор MOSFET IRF2807ZPBF от компании Infineon Technologies. Этот компонент отличается высокими эксплуатационными характеристиками и широкими возможностями применения в различных электронных устройствах.
Транзистор IRF2807ZPBF способен выдерживать напряжение до 75 вольт между истоком и стоком, а также пропускать ток до 75 ампер. Его сопротивление в открытом состоянии составляет всего 9.4 милliом, что обеспечивает минимальные потери мощности и высокую энергоэффективность. Максимальная рассеиваемая мощность достигает 170 ватт, что делает этот компонент незаменимым для использования в мощных электронных схемах.
- Напряжение исток-сток макс.: 75В
- Ток стока макс.: 75A
- Сопротивление открытого канала: 9.4 мОм
- Мощность макс.: 170Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 4В
- Заряд затвора: 110нКл
- Входная емкость: 3270пФ
- Тип монтажа: Through Hole
- Корпус: TO-220AB
- Вес брутто: 2.92 г
Транзистор IRF2807ZPBF находит широкое применение в различных областях электроники, таких как импульсные источники питания, приводы электродвигателей, преобразователи напряжения и другие высокомощные устройства. Его надёжность и высокие характеристики делают его идеальным выбором для инженеров, стремящихся создавать эффективные и надёжные электронные системы.