IRF3707ZSPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 59A
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 59A |
| Сопротивление открытого канала: | 9.5 мОм |
| Мощность макс.: | 57Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.25В |
| Заряд затвора: | 15нКл |
| Входная емкость: | 1210пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | D2Pak (TO-263) |
| Вес брутто: | 1.5 г. |
| Наименование: | IRF3707ZSPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
Полевой транзистор MOSFET IRF3707ZSPBF от компании Infineon Technologies является высокопроизводительным N-канальным ключевым компонентом, предназначенным для использования в широком спектре электронных устройств. Этот транзистор отличается превосходными характеристиками и надежностью, что делает его идеальным выбором для применений, требующих высокой мощности и эффективности.
Основные характеристики транзистора IRF3707ZSPBF:
- Напряжение исток-сток макс.: 30В
- Ток стока макс.: 59A
- Сопротивление открытого канала: 9.5 мОм
- Мощность макс.: 57Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Особенности: Logic Level Gate
- Пороговое напряжение включения макс.: 2.25В
- Заряд затвора: 15нКл
- Входная емкость: 1210пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Корпус: D2Pak (TO-263)
- Вес брутто: 1.5 г.
- Описание Eng: MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK
- Тип упаковки: Tube (туба)
- Нормоупаковка: 50 шт
Транзистор IRF3707ZSPBF находит широкое применение в различных областях электроники, таких как импульсные источники питания, инверторы, двигатели, а также в других высокомощных схемах, где требуются надежные ключевые компоненты с высокой эффективностью и производительностью. Его сочетание высокого тока, низкого сопротивления открытого канала и логического уровня управления делает этот транзистор незаменимым выбором для инженеров, работающих над передовыми электронными разработками.