• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

IRF3707ZSPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 59A

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:Infineon Technologies
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:30В
Ток стока макс.:59A
Сопротивление открытого канала:9.5 мОм
Мощность макс.:57Вт
Тип транзистора:N-канал
Особенности:Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:2.25В
Заряд затвора:15нКл
Входная емкость:1210пФ
Тип монтажа:Surface Mount
Корпус:D2Pak (TO-263)
Вес брутто:1.5 г.
Наименование:IRF3707ZSPBF
Производитель:Infineon Technologies
Описание Eng:MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK
Тип упаковки:Tube (туба)
Нормоупаковка:50 шт

Описание

Полевой транзистор MOSFET IRF3707ZSPBF от компании Infineon Technologies является высокопроизводительным N-канальным ключевым компонентом, предназначенным для использования в широком спектре электронных устройств. Этот транзистор отличается превосходными характеристиками и надежностью, что делает его идеальным выбором для применений, требующих высокой мощности и эффективности.

Основные характеристики транзистора IRF3707ZSPBF:

  • Напряжение исток-сток макс.: 30В
  • Ток стока макс.: 59A
  • Сопротивление открытого канала: 9.5 мОм
  • Мощность макс.: 57Вт
  • Тип транзистора: N-канал
  • Особенности: Logic Level Gate
  • Пороговое напряжение включения макс.: 2.25В
  • Заряд затвора: 15нКл
  • Входная емкость: 1210пФ
  • Тип монтажа: Surface Mount
  • Корпус: D2Pak (TO-263)
  • Вес брутто: 1.5 г.
  • Описание Eng: MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK
  • Тип упаковки: Tube (туба)
  • Нормоупаковка: 50 шт

Транзистор IRF3707ZSPBF находит широкое применение в различных областях электроники, таких как импульсные источники питания, инверторы, двигатели, а также в других высокомощных схемах, где требуются надежные ключевые компоненты с высокой эффективностью и производительностью. Его сочетание высокого тока, низкого сопротивления открытого канала и логического уровня управления делает этот транзистор незаменимым выбором для инженеров, работающих над передовыми электронными разработками.