IRF4905STRLPBF, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 42А 170Вт
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 55В |
| Ток стока макс.: | 42A |
| Сопротивление открытого канала: | 20 мОм |
| Мощность макс.: | 170Вт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 180нКл |
| Входная емкость: | 3500пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | D2Pak (TO-263) |
| Вес брутто: | 2.23 г. |
| Наименование: | IRF4905STRLPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 800 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию высокопроизводительный P-канальный полевой транзистор MOSFET IRF4905STRLPBF от компании Infineon Technologies. Данная модель отличается надежностью, высокой токовой нагрузкой и способна работать при напряжениях до 55 вольт, что делает ее универсальным решением для широкого спектра применений в электронике.
Транзистор IRF4905STRLPBF обладает рядом ключевых характеристик, которые делают его незаменимым компонентом в современных схемах:
- Напряжение исток-сток макс.: 55В
- Ток стока макс.: 42A
- Сопротивление открытого канала: 20 мОм
- Мощность макс.: 170Вт
- Тип транзистора: P-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 4В
- Заряд затвора: 180нКл
- Входная емкость: 3500пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Корпус: D2Pak (TO-263)
- Вес брутто: 2.23 г.
- Описание Eng: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Нормоупаковка: 800 шт
Транзистор IRF4905STRLPBF широко применяется в различных областях электроники, таких как импульсные источники питания, преобразователи напряжения, регуляторы мощности, инверторы, системы управления двигателями и многое другое. Его высокая надежность и производительность делают его незаменимым компонентом для разработчиков электронных устройств, требующих эффективного и надежного управления мощностью.