IRF530NSTRLPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 17А 3.8Вт
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 17A |
| Сопротивление открытого канала: | 90 мОм |
| Мощность макс.: | 3.8Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 37нКл |
| Входная емкость: | 920пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | D2Pak (TO-263) |
| Вес брутто: | 2.29 г. |
| Наименование: | IRF530NSTRLPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 800 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию мощный N-канальный полевой транзистор MOSFET от компании Infineon Technologies - IRF530NSTRLPBF. Этот высокопроизводительный компонент обладает широким диапазоном рабочих характеристик, что делает его универсальным решением для широкого спектра электронных устройств.
Транзистор IRF530NSTRLPBF отличается надежностью, долговечностью и высокой эффективностью. Он способен выдерживать напряжение до 100 вольт между истоком и стоком, а также пропускать ток до 17 ампер. Благодаря низкому сопротивлению открытого канала всего 90 миллиом, этот транзистор обеспечивает высокую производительность и малые потери мощности.
- Напряжение исток-сток макс.: 100В
- Ток стока макс.: 17A
- Сопротивление открытого канала: 90 мОм
- Мощность макс.: 3.8Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 4В
- Заряд затвора: 37нКл
- Входная емкость: 920пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Корпус: D2Pak (TO-263)
Транзистор IRF530NSTRLPBF находит широкое применение в различных областях электроники, таких как импульсные источники питания, преобразователи напряжения, регуляторы мощности, инверторы, усилители мощности и многие другие устройства. Его высокие рабочие характеристики и надежность делают его идеальным выбором для проектирования эффективных и надежных электронных систем.