Представляем вашему вниманию высококачественный полевой транзистор MOSFET P-канальный IRF5803TRPBF от надежного производителя Infineon Technologies. Данный транзистор отличается отличными характеристиками и широким спектром применения в современной электронике.

Транзистор IRF5803TRPBF обладает номинальным напряжением сток-исток до 40 В, максимальным током стока до 3.4 А и максимальной мощностью 2 Вт. Сопротивление открытого канала составляет всего 112 мОм, что обеспечивает низкие потери и высокую эффективность. Пороговое напряжение включения не превышает 3 В, что позволяет использовать транзистор в логических схемах с низким напряжением.

• Напряжение исток-сток макс.: 40В
• Ток стока макс.: 3.4A
• Сопротивление открытого канала: 112 мОм
• Мощность макс.: 2Вт
• Тип транзистора: P-канал
• Особенности: Logic Level Gate
• Пороговое напряжение включения макс.: 3В
• Заряд затвора: 37нКл
• Входная емкость: 1110пФ
• Тип монтажа: Surface Mount
• Корпус: TSOP-6

Транзистор IRF5803TRPBF находит широкое применение в различных областях электроники, таких как импульсные источники питания, регуляторы напряжения, драйверы двигателей, коммутационные цепи и другие устройства, где требуется высокая производительность и надежность. Благодаря компактному поверхностному монтажу и отличным электрическим характеристикам, данный транзистор является отличным выбором для современных электронных схем.