Представляем вашему вниманию мощный и надёжный полевой транзистор MOSFET N-канала от компании Infineon Technologies - IRF640NSTRLPBF. Данный компонент обладает впечатляющими техническими характеристиками, что делает его востребованным в широком спектре электронных устройств и промышленных применений.

IRF640NSTRLPBF отличается высоким напряжением сток-исток до 200В, максимальным током стока до 18А и большой допустимой мощностью в 150Вт. Благодаря низкому сопротивлению открытого канала всего 150 мОм, транзистор демонстрирует высокую эффективность и малые потери при коммутации. Корпус D2Pak (TO-263) позволяет эффективно отводить тепло, обеспечивая надёжную работу в самых ответственных применениях.

• Напряжение исток-сток макс.: 200В
• Ток стока макс.: 18A
• Сопротивление открытого канала: 150 мОм
• Мощность макс.: 150Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Пороговое напряжение включения макс.: 4В
• Заряд затвора: 67нКл
• Входная емкость: 1160пФ
• Тип монтажа: Surface Mount
• Корпус: D2Pak (TO-263)
• Вес брутто: 2.3 г
• Описание Eng: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
• Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
• Нормоупаковка: 800 шт

Благодаря своим выдающимся характеристикам, транзистор IRF640NSTRLPBF находит широкое применение в импульсных источниках питания, инверторах, преобразователях постоянного тока, системах управления электродвигателями, а также в других устройствах силовой электроники, где требуется надёжный, эффективный и высоковольтный коммутационный элемент.