IRF7201TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 7.3А 2.5Вт
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 7.3A |
| Сопротивление открытого канала: | 30 мОм |
| Мощность макс.: | 2.5Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1В |
| Заряд затвора: | 28нКл |
| Входная емкость: | 550пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Вес брутто: | 0.25 г. |
| Наименование: | IRF7201TRPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 4000 шт |
| Корпус: | SO-8 |
Описание
Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор N-канала IRF7201TRPBF от компании Infineon Technologies. Данный транзистор отличается высокой надежностью, эффективностью и широкими возможностями применения в современных электронных устройствах.
Транзистор IRF7201TRPBF обладает отличными техническими характеристиками, такими как максимальное напряжение сток-исток 30В, максимальный ток стока 7.3А и малое сопротивление открытого канала всего 30 мОм. Эти параметры делают его идеальным выбором для использования в качестве мощных ключевых элементов, усилителей сигналов, импульсных источников питания и других приложениях, требующих высокой производительности и энергоэффективности.
- Напряжение исток-сток макс.: 30В
- Ток стока макс.: 7.3A
- Сопротивление открытого канала: 30 мОм
- Мощность макс.: 2.5Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Особенности: Logic Level Gate
- Пороговое напряжение включения макс.: 1В
- Заряд затвора: 28нКл
- Входная емкость: 550пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Вес брутто: 0.25 г
- Описание Eng: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Нормоупаковка: 4000 шт
- Корпус: SO-8
Транзистор IRF7201TRPBF от Infineon Technologies находит широкое применение в различных электронных устройствах, таких как импульсные источники питания, моторные приводы, усилители мощности, коммутирующие устройства и многое другое. Его высокая производительность, надежность и энергоэффективность делают его незаменимым компонентом в современной электронике.