IRF7401TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 8.7А 2.5Вт
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 20В |
| Ток стока макс.: | 8.7A |
| Сопротивление открытого канала: | 22 мОм |
| Мощность макс.: | 2.5Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 700mВ |
| Заряд затвора: | 48нКл |
| Входная емкость: | 1600пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Вес брутто: | 0.22 г. |
| Наименование: | IRF7401TRPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 20V 8.7A 8-SOIC |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 4000 шт |
| Корпус: | SO-8 |
Описание
Представляем вашему вниманию полевой транзистор N-канального типа IRF7401TRPBF от компании Infineon Technologies. Этот надежный компонент обладает отличными техническими характеристиками и широким спектром применения в современной электронике.
Транзистор IRF7401TRPBF отличается высокой производительностью и энергоэффективностью. Он способен выдерживать напряжение до 20 В между истоком и стоком, а максимальный ток стока достигает 8,7 А. Сопротивление открытого канала составляет всего 22 мОм, что обеспечивает низкие потери и высокую эффективность работы устройств на его основе.
- Напряжение исток-сток макс.: 20В
- Ток стока макс.: 8.7A
- Сопротивление открытого канала: 22 мОм
- Мощность макс.: 2.5Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 700mВ
- Заряд затвора: 48нКл
- Входная емкость: 1600пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Нормоупаковка: 4000 шт
- Корпус: SO-8
Транзистор IRF7401TRPBF идеально подходит для использования в широком спектре электронных устройств, таких как импульсные источники питания, преобразователи напряжения, системы управления двигателями и другие приложения, где требуется высокая эффективность и надежность работы. Благодаря компактному поверхностному монтажу, этот компонент легко интегрируется в современные электронные схемы, обеспечивая оптимальное соотношение производительности и занимаемого пространства.