IRF7403TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 8.5А 2.5Вт
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 8.5A |
| Сопротивление открытого канала: | 22 мОм |
| Мощность макс.: | 2.5Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1В |
| Заряд затвора: | 57нКл |
| Входная емкость: | 1200пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Вес брутто: | 0.179 г. |
| Наименование: | IRF7403TRPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 4000 шт |
| Корпус: | SO-8 |
Описание
Представляем вашему вниманию высококачественный полевой транзистор MOSFET N-канального типа IRF7403TRPBF от Infineon Technologies. Этот компонент отличается надежностью, высокой производительностью и широким спектром применений в электронных устройствах.
Транзистор IRF7403TRPBF характеризуется высоким напряжением сток-исток до 30В, максимальным током стока 8.5А и малым сопротивлением открытого канала всего 22 мОм. Благодаря этим параметрам, данный MOSFET-транзистор способен коммутировать значительные токовые нагрузки при относительно низком падении напряжения.
- Напряжение исток-сток макс.: 30В
- Ток стока макс.: 8.5А
- Сопротивление открытого канала: 22 мОм
- Мощность макс.: 2.5Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Особенности: Logic Level Gate
- Пороговое напряжение включения макс.: 1В
- Заряд затвора: 57нКл
- Входная емкость: 1200пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Вес брутто: 0.179 г
- Описание Eng: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Нормоупаковка: 4000 шт
- Корпус: SO-8
Транзистор IRF7403TRPBF от Infineon Technologies широко применяется в различных электронных устройствах, таких как импульсные источники питания, сварочные аппараты, двигатели постоянного тока, инверторы, преобразователи напряжения и другие схемы силовой электроники. Его высокая производительность и надежность делают его незаменимым компонентом при разработке современной электронной техники.