IRF7410TRPBF, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 16A
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 12В |
| Ток стока макс.: | 16A |
| Сопротивление открытого канала: | 7 мОм |
| Мощность макс.: | 2.5Вт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 900mВ |
| Заряд затвора: | 91нКл |
| Входная емкость: | 8676пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOIC8 |
| Вес брутто: | 0.25 г. |
| Наименование: | IRF7410TRPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 12V 16A 8-SOIC |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 4000 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию мощный полевой транзистор MOSFET P-канала от компании Infineon Technologies - IRF7410TRPBF. Этот компонент отличается надежностью, высокой производительностью и широкими возможностями применения в различных электронных устройствах.
Транзистор IRF7410TRPBF обладает максимальным напряжением сток-исток 12 вольт и максимальным током стока 16 ампер. Сопротивление открытого канала составляет всего 7 миллиом, что обеспечивает низкие потери и высокую эффективность. Кроме того, данная модель поддерживает логический уровень управления затвором, что упрощает интеграцию в схемы.
- Напряжение исток-сток макс.: 12В
- Ток стока макс.: 16A
- Сопротивление открытого канала: 7 мОм
- Мощность макс.: 2.5Вт
- Тип транзистора: P-канал
- Особенности: Logic Level Gate
- Пороговое напряжение включения макс.: 900mВ
- Заряд затвора: 91нКл
- Входная емкость: 8676пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Корпус: SOIC8
- Вес брутто: 0.25 г.
- Описание Eng: MOSFET P-CH 12V 16A 8-SOIC
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Нормоупаковка: 4000 шт
Транзистор IRF7410TRPBF находит широкое применение в различных электронных устройствах, таких как импульсные источники питания, управление двигателями, усилители мощности и многое другое. Благодаря своим характеристикам, он идеально подходит для использования в высокопроизводительных и энергоэффективных схемах.