IRF7424TRPBF, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 11A
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 11A |
| Сопротивление открытого канала: | 13.5 мОм |
| Мощность макс.: | 2.5Вт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.5В |
| Заряд затвора: | 110нКл |
| Входная емкость: | 4030пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Вес брутто: | 0.14 г. |
| Наименование: | IRF7424TRPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 4000 шт |
| Корпус: | SO-8 |
Описание
Представляем вашему вниманию полевой транзистор MOSFET P-канала IRF7424TRPBF от ведущего производителя Infineon Technologies. Этот надежный и высокопроизводительный компонент предназначен для широкого спектра применений в современной электронике.
Транзистор IRF7424TRPBF отличается высокой коммутационной способностью, низким сопротивлением открытого канала и оптимальным соотношением ключевых параметров, что делает его идеальным выбором для использования в схемах управления питанием, инверторах, импульсных источниках питания и других устройствах, где требуется эффективное и надежное переключение высоких токов.
- Напряжение исток-сток макс.: 30В
- Ток стока макс.: 11A
- Сопротивление открытого канала: 13.5 мОм
- Мощность макс.: 2.5Вт
- Тип транзистора: P-канал
- Особенности: Logic Level Gate
- Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
- Заряд затвора: 110нКл
- Входная емкость: 4030пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Вес брутто: 0.14 г.
- Описание Eng: MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Нормоупаковка: 4000 шт
- Корпус: SO-8
Транзистор IRF7424TRPBF идеально подходит для использования в схемах управления питанием, инверторах, импульсных источниках питания, системах плавного пуска, а также в других электронных устройствах, где требуется эффективное и надежное переключение высоких токов. Благодаря своим техническим характеристикам, этот компонент обеспечивает высокую производительность и энергоэффективность, что делает его востребованным решением для современной электроники.