• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

IRF7811AVTRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 10.8A

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:Infineon Technologies
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:30В
Ток стока макс.:10.8A
Сопротивление открытого канала:14 мОм
Мощность макс.:2.5Вт
Тип транзистора:N-канал
Особенности:Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:26нКл
Входная емкость:1801пФ
Тип монтажа:Surface Mount
Вес брутто:0.1 г.
Наименование:IRF7811AVTRPBF
Производитель:Infineon Technologies
Описание Eng:MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-SOIC
Тип упаковки:Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:4000 шт
Корпус:SO-8

Описание

Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор MOSFET N-канального типа от надёжного производителя Infineon Technologies - IRF7811AVTRPBF. Этот компонент отличается превосходными характеристиками и широкими возможностями применения в различных электронных схемах и устройствах.

IRF7811AVTRPBF является одиночным MOSFET транзистором, который сочетает в себе высокую коммутационную способность, низкое сопротивление открытого канала и малые входные ёмкости. Данные параметры позволяют использовать этот транзистор в высокочастотных и мощных схемах переключения и управления.

  • Напряжение исток-сток макс.: 30В
  • Ток стока макс.: 10.8A
  • Сопротивление открытого канала: 14 мОм
  • Мощность макс.: 2.5Вт
  • Тип транзистора: N-канал
  • Особенности: Logic Level Gate
  • Пороговое напряжение включения макс.:
  • Заряд затвора: 26нКл
  • Входная емкость: 1801пФ
  • Тип монтажа: Surface Mount
  • Вес брутто: 0.1 г
  • Описание Eng: MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-SOIC
  • Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
  • Нормоупаковка: 4000 шт
  • Корпус: SO-8

Транзистор IRF7811AVTRPBF находит широкое применение в различных силовых электронных схемах и устройствах, таких как импульсные источники питания, схемы управления электродвигателями, преобразователи напряжения, а также в других приложениях, требующих высокую коммутационную способность и малое сопротивление открытого канала. Благодаря своим характеристикам, этот компонент идеально подходит для использования в современной высокотехнологичной электронике.