IRF7811AVTRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 10.8A
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 10.8A |
| Сопротивление открытого канала: | 14 мОм |
| Мощность макс.: | 2.5Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3В |
| Заряд затвора: | 26нКл |
| Входная емкость: | 1801пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Вес брутто: | 0.1 г. |
| Наименование: | IRF7811AVTRPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-SOIC |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 4000 шт |
| Корпус: | SO-8 |
Описание
Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор MOSFET N-канального типа от надёжного производителя Infineon Technologies - IRF7811AVTRPBF. Этот компонент отличается превосходными характеристиками и широкими возможностями применения в различных электронных схемах и устройствах.
IRF7811AVTRPBF является одиночным MOSFET транзистором, который сочетает в себе высокую коммутационную способность, низкое сопротивление открытого канала и малые входные ёмкости. Данные параметры позволяют использовать этот транзистор в высокочастотных и мощных схемах переключения и управления.
- Напряжение исток-сток макс.: 30В
- Ток стока макс.: 10.8A
- Сопротивление открытого канала: 14 мОм
- Мощность макс.: 2.5Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Особенности: Logic Level Gate
- Пороговое напряжение включения макс.: 3В
- Заряд затвора: 26нКл
- Входная емкость: 1801пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Вес брутто: 0.1 г
- Описание Eng: MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-SOIC
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Нормоупаковка: 4000 шт
- Корпус: SO-8
Транзистор IRF7811AVTRPBF находит широкое применение в различных силовых электронных схемах и устройствах, таких как импульсные источники питания, схемы управления электродвигателями, преобразователи напряжения, а также в других приложениях, требующих высокую коммутационную способность и малое сопротивление открытого канала. Благодаря своим характеристикам, этот компонент идеально подходит для использования в современной высокотехнологичной электронике.