• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

IRF7820TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 3.7A

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:Infineon Technologies
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:200В
Ток стока макс.:3.7A
Сопротивление открытого канала:78 мОм
Мощность макс.:2.5Вт
Тип транзистора:N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:44нКл
Входная емкость:1750пФ
Тип монтажа:Surface Mount
Корпус:SOIC8
Вес брутто:0.23 г.
Наименование:IRF7820TRPBF
Производитель:Infineon Technologies
Описание Eng:MOSFET N CH 200V 3.7A SO-8
Тип упаковки:Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:4000 шт

Описание

Представляем вашему вниманию полевой транзистор MOSFET N-канальный IRF7820TRPBF от компании Infineon Technologies. Данная модель отличается высокой надежностью, стабильными характеристиками и широким спектром применения в современной электронной промышленности.

Транзистор IRF7820TRPBF обладает максимальным напряжением сток-исток 200В, максимальным током стока 3.7А и сопротивлением открытого канала всего 78 мОм. Эти технические параметры делают его идеальным выбором для использования в различных схемах управления, инверторах, источниках питания и других устройствах, где требуется высокая коммутационная способность и эффективность.

  • Напряжение исток-сток макс.: 200В
  • Ток стока макс.: 3.7A
  • Сопротивление открытого канала: 78 мОм
  • Мощность макс.: 2.5Вт
  • Тип транзистора: N-канал
  • Пороговое напряжение включения макс.: 5В
  • Заряд затвора: 44нКл
  • Входная емкость: 1750пФ
  • Тип монтажа: Surface Mount
  • Корпус: SOIC8
  • Вес брутто: 0.23 г.
  • Описание Eng: MOSFET N CH 200V 3.7A SO-8
  • Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
  • Нормоупаковка: 4000 шт

Транзистор IRF7820TRPBF широко используется в различных электронных устройствах, таких как инверторы, источники питания, регуляторы напряжения, а также в качестве ключевых элементов в схемах управления двигателями, реле и других коммутационных применениях. Его высокие характеристики и надежность делают его незаменимым компонентом при разработке современных электронных систем.