IRF7820TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 3.7A
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 200В |
| Ток стока макс.: | 3.7A |
| Сопротивление открытого канала: | 78 мОм |
| Мощность макс.: | 2.5Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 5В |
| Заряд затвора: | 44нКл |
| Входная емкость: | 1750пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOIC8 |
| Вес брутто: | 0.23 г. |
| Наименование: | IRF7820TRPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N CH 200V 3.7A SO-8 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 4000 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию полевой транзистор MOSFET N-канальный IRF7820TRPBF от компании Infineon Technologies. Данная модель отличается высокой надежностью, стабильными характеристиками и широким спектром применения в современной электронной промышленности.
Транзистор IRF7820TRPBF обладает максимальным напряжением сток-исток 200В, максимальным током стока 3.7А и сопротивлением открытого канала всего 78 мОм. Эти технические параметры делают его идеальным выбором для использования в различных схемах управления, инверторах, источниках питания и других устройствах, где требуется высокая коммутационная способность и эффективность.
- Напряжение исток-сток макс.: 200В
- Ток стока макс.: 3.7A
- Сопротивление открытого канала: 78 мОм
- Мощность макс.: 2.5Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 5В
- Заряд затвора: 44нКл
- Входная емкость: 1750пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Корпус: SOIC8
- Вес брутто: 0.23 г.
- Описание Eng: MOSFET N CH 200V 3.7A SO-8
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Нормоупаковка: 4000 шт
Транзистор IRF7820TRPBF широко используется в различных электронных устройствах, таких как инверторы, источники питания, регуляторы напряжения, а также в качестве ключевых элементов в схемах управления двигателями, реле и других коммутационных применениях. Его высокие характеристики и надежность делают его незаменимым компонентом при разработке современных электронных систем.