IRF7821TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13.6A
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 13.6A |
| Сопротивление открытого канала: | 9.1 мОм |
| Мощность макс.: | 2.5Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1В |
| Заряд затвора: | 14нКл |
| Входная емкость: | 1010пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Вес брутто: | 0.22 г. |
| Наименование: | IRF7821TRPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 4000 шт |
| Корпус: | SO-8 |
Описание
Полевой транзистор IRF7821TRPBF от компании Infineon Technologies представляет собой высокопроизводительное решение для управления мощными электрическими цепями. Данный N-канальный MOSFET транзистор обладает исключительными характеристиками, позволяющими использовать его в широком спектре современных электронных устройств.
Благодаря низкому сопротивлению открытого канала и высокой максимальной величине тока стока, транзистор IRF7821TRPBF идеально подходит для применения в высокоэффективных импульсных источниках питания, инверторах, преобразователях постоянного тока, а также в системах управления двигателями и другой мощной электронной аппаратуре.
- Напряжение исток-сток макс.: 30В
- Ток стока макс.: 13.6A
- Сопротивление открытого канала: 9.1 мОм
- Мощность макс.: 2.5Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Особенности: Logic Level Gate
- Пороговое напряжение включения макс.: 1В
- Заряд затвора: 14нКл
- Входная емкость: 1010пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Вес брутто: 0.22 г
- Описание Eng: MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Нормоупаковка: 4000 шт
- Корпус: SO-8
Транзистор IRF7821TRPBF от Infineon Technologies является надежным и эффективным решением для использования в современных электронных устройствах, требующих управления высокими токами и напряжениями. Благодаря своим выдающимся характеристикам, этот MOSFET транзистор найдет широкое применение в различных отраслях промышленности, от бытовой электроники до промышленной автоматизации.