IRF8736TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 18A
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 18A |
| Сопротивление открытого канала: | 4.8 мОм |
| Мощность макс.: | 2.5Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.35В |
| Заряд затвора: | 26нКл |
| Входная емкость: | 2315пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Вес брутто: | 0.21 г. |
| Наименование: | IRF8736TRPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 4000 шт |
| Корпус: | SO-8 |
Описание
Представляем вашему вниманию полевой транзистор MOSFET N-канальный IRF8736TRPBF от компании Infineon Technologies. Данный компонент отличается высокой производительностью, надёжностью и широкими возможностями применения в различных электронных устройствах.
Транзистор IRF8736TRPBF обладает впечатляющими техническими характеристиками, которые делают его незаменимым выбором для многих инженерных решений. Ознакомьтесь с ключевыми параметрами этого мощного полупроводникового компонента:
- Напряжение исток-сток макс.: 30В
- Ток стока макс.: 18A
- Сопротивление открытого канала: 4.8 мОм
- Мощность макс.: 2.5Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Особенности: Logic Level Gate
- Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В
- Заряд затвора: 26нКл
- Входная емкость: 2315пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Вес брутто: 0.21 г.
- Описание Eng: MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Нормоупаковка: 4000 шт
- Корпус: SO-8
Транзистор IRF8736TRPBF находит широкое применение в различных областях электроники, включая источники питания, инверторы, электродвигатели, электрические приводы и многие другие устройства, где требуется высокая мощность и производительность. Благодаря своим характеристикам, этот компонент является отличным выбором для разработчиков, стремящихся создавать эффективные и надёжные электронные системы.