Представляем вашему вниманию высокопроизводительный N-канальный полевой транзистор MOSFET IRFB3006PBF от Infineon Technologies. Этот транзистор отличается надежностью, высокой мощностью и эффективностью, что делает его незаменимым компонентом в широком спектре электронных устройств.

Ключевые характеристики IRFB3006PBF:

• Напряжение исток-сток макс.: 60В
• Ток стока макс.: 195A
• Сопротивление открытого канала: 2.5 мОм
• Мощность макс.: 375Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Особенности: Logic Level Gate
• Пороговое напряжение включения макс.: 4В
• Заряд затвора: 300нКл
• Входная емкость: 8970пФ
• Тип монтажа: Through Hole
• Корпус: TO-220AB
• Вес брутто: 2.8 г

IRFB3006PBF находит широкое применение в различных областях электроники, включая импульсные источники питания, инверторы, электродвигатели, сварочное оборудование и другие высокомощные приложения. Благодаря высокой надежности и эффективности, этот транзистор является оптимальным решением для разработчиков, стремящихся к повышению производительности и энергоэффективности своих устройств.