IRFB3207ZPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120А 300Вт
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 75В |
| Ток стока макс.: | 120A |
| Сопротивление открытого канала: | 4.1 мОм |
| Мощность макс.: | 300Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 170нКл |
| Входная емкость: | 6920пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220AB |
| Вес брутто: | 3.03 г. |
| Наименование: | IRFB3207ZPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB, 300W |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию мощный и надежный полевой транзистор MOSFET N-канальный IRFB3207ZPBF от известного производителя Infineon Technologies. Этот компонент отличается высокой производительностью, широким диапазоном напряжений и токов, а также универсальностью в применении.
Транзистор IRFB3207ZPBF обладает целым рядом выдающихся характеристик, которые делают его идеальным выбором для различных электронных устройств и систем. Давайте рассмотрим основные из них:
- Напряжение исток-сток макс.: 75В
- Ток стока макс.: 120A
- Сопротивление открытого канала: 4.1 мОм
- Мощность макс.: 300Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 4В
- Заряд затвора: 170нКл
- Входная емкость: 6920пФ
- Тип монтажа: Through Hole
- Корпус: TO-220AB
- Вес брутто: 3.03 г
Благодаря своим выдающимся характеристикам, транзистор IRFB3207ZPBF находит широкое применение в различных областях электроники. Он идеально подходит для использования в мощных источниках питания, инверторах, преобразователях, электродвигателях, а также в других устройствах, требующих высокой производительности и надежности. Этот компонент станет отличным выбором для инженеров, разработчиков и энтузиастов, работающих над созданием современных электронных систем.