Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор IRFB3306PBF от компании Infineon Technologies. Этот N-канальный MOSFET транзистор отличается высокой надежностью, эффективностью и широкими возможностями применения в различных электронных устройствах.

Основные характеристики IRFB3306PBF:

• Напряжение исток-сток макс.: 60В
• Ток стока макс.: 120A
• Сопротивление открытого канала: 4.2 мОм
• Мощность макс.: 230Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Особенности: Logic Level Gate
• Пороговое напряжение включения макс.: 4В
• Заряд затвора: 120нКл
• Входная емкость: 4520пФ
• Тип монтажа: Through Hole
• Корпус: TO220AB
• Вес брутто: 2.72 г.

Благодаря своим внушительным техническим характеристикам, IRFB3306PBF находит широкое применение в различных областях электроники, включая силовую электронику, системы управления двигателями, импульсные источники питания, преобразователи напряжения и многое другое. Этот транзистор идеально подходит для использования в высокомощных, энергоэффективных и надежных электронных устройствах.