Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор IRFB3307ZPBF от известного производителя Infineon Technologies. Этот мощный N-канальный MOSFET транзистор предназначен для широкого спектра применений в электронной и силовой электронике.

Транзистор IRFB3307ZPBF отличается высокой надежностью, эффективностью и производительностью, что делает его идеальным выбором для инженеров и разработчиков, стремящихся к оптимальным характеристикам своих устройств.

• Напряжение исток-сток макс.: 75В
• Ток стока макс.: 120A
• Сопротивление открытого канала: 5.8 мОм
• Мощность макс.: 230Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Пороговое напряжение включения макс.: 4В
• Заряд затвора: 110нКл
• Входная емкость: 4750пФ
• Тип монтажа: Through Hole
• Корпус: TO-220AB
• Вес брутто: 2.84 г.

Транзистор IRFB3307ZPBF находит широкое применение в различных областях электроники, таких как импульсные источники питания, инверторы, преобразователи напряжения, регуляторы мощности, электродвигатели и многое другое. Его высокая производительность, низкое сопротивление открытого канала и надежность делают его незаменимым компонентом в современных высокоэффективных и высокопроизводительных устройствах.