Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор MOSFET N-канальный IRFB5620PBF от ведущего производителя Infineon Technologies. Этот компонент отличается надежностью, высокой мощностью и широким диапазоном рабочих напряжений, что делает его универсальным решением для множества электронных схем и устройств.

Транзистор IRFB5620PBF обладает превосходными характеристиками, которые позволяют использовать его в самых требовательных применениях. Его ключевые параметры представлены ниже:

• Напряжение исток-сток макс.: 200В
• Ток стока макс.: 25A
• Сопротивление открытого канала: 72.5 мОм
• Мощность макс.: 144Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Пороговое напряжение включения макс.: 5В
• Заряд затвора: 38нКл
• Входная емкость: 1710пФ
• Тип монтажа: Through Hole
• Корпус: TO-220AB
• Вес брутто: 3.39 г.
• Описание Eng: MOSFET N-CH 200V 25A TO-220AB
• Тип упаковки: Tube (туба)
• Нормоупаковка: 50 шт

Благодаря своим характеристикам, транзистор IRFB5620PBF находит широкое применение в различных областях электроники, таких как импульсные источники питания, инверторы, преобразователи напряжения, приводы электродвигателей и многое другое. Его высокая мощность, низкое сопротивление канала и устойчивость к высоким напряжениям делают его идеальным выбором для разработчиков, стремящихся создавать эффективные и надежные электронные устройства.