Представляем вашему вниманию мощный полевой транзистор IRFB7530PBF от компании Infineon Technologies. Этот N-канальный MOSFET транзистор с высокими рабочими характеристиками идеально подходит для широкого спектра применений в современной электронике.

Благодаря своим впечатляющим параметрам, таким как максимальное напряжение 60В, максимальный ток стока 195А и сверхнизкое сопротивление открытого канала всего 2 мОм, данный транзистор может обеспечить надежную и эффективную работу в самых требовательных схемах.

• Напряжение исток-сток макс.: 60В
• Ток стока макс.: 195А
• Сопротивление открытого канала: 2 мОм
• Мощность макс.: 375Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В
• Заряд затвора: 411нКл
• Входная емкость: 13703пФ
• Тип монтажа: Through Hole
• Корпус: TO-220AB
• Вес брутто: 3.5 г
• Описание Eng: MOSFET N CH 60V 195A TO-220AB
• Тип упаковки: Tube (туба)
• Нормоупаковка: 50 шт

Транзистор IRFB7530PBF находит широкое применение в различных областях электроники, таких как импульсные источники питания, инверторы, преобразователи напряжения, регуляторы мощности, сварочные аппараты, электродвигатели и многое другое. Его высокие рабочие характеристики и надежность делают его незаменимым компонентом в современных высокопроизводительных электронных устройствах.