IRFB7534PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 195А 294Вт
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 195A |
| Сопротивление открытого канала: | 2.4 мОм |
| Мощность макс.: | 294Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3.7В |
| Заряд затвора: | 279нКл |
| Входная емкость: | 10034пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220AB |
| Вес брутто: | 2.84 г. |
| Наименование: | IRFB7534PBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N CH 60V 195A TO-220AB |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор MOSFET N-канала IRFB7534PBF от ведущего производителя Infineon Technologies. Этот транзистор отличается исключительными характеристиками и широкими возможностями применения в различных электронных устройствах и системах.
IRFB7534PBF является одним из наиболее мощных и эффективных N-канальных MOSFET транзисторов в своем классе. Он обладает высокой пропускной способностью, низким сопротивлением открытого канала и может выдерживать значительные токовые нагрузки, что делает его идеальным выбором для использования в силовых схемах, преобразователях, инверторах и других высокопроизводительных приложениях.
- Напряжение исток-сток макс.: 60В
- Ток стока макс.: 195A
- Сопротивление открытого канала: 2.4 мОм
- Мощность макс.: 294Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В
- Заряд затвора: 279нКл
- Входная емкость: 10034пФ
- Тип монтажа: Through Hole
- Корпус: TO-220AB
- Вес брутто: 2.84 г.
IRFB7534PBF находит широкое применение в различных областях электроники, включая силовые преобразователи, инверторы, источники питания, электродвигатели, сварочное оборудование и многое другое. Его высокая производительность, надежность и эффективность делают этот транзистор незаменимым компонентом в современных электронных системах, где требуются высокие токовые и мощностные характеристики.