IRFB7540PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 110A
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 110A |
| Сопротивление открытого канала: | 5.1 мОм |
| Мощность макс.: | 160Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3.7В |
| Заряд затвора: | 130нКл |
| Входная емкость: | 4555пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220AB |
| Вес брутто: | 2.89 г. |
| Наименование: | IRFB7540PBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N CH 60V 110A TO-220AB |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию высокопроизводительный N-канальный полевой транзистор IRFB7540PBF от Infineon Technologies. Этот мощный MOSFET-транзистор с впечатляющими характеристиками станет незаменимым компонентом в широком спектре электронных устройств и систем силовой электроники.
Транзистор IRFB7540PBF отличается высоким напряжением сток-исток до 60 В, максимальным током стока до 110 А и низким сопротивлением открытого канала всего 5,1 мОм. Благодаря этим параметрам данный компонент способен обеспечивать высокую мощность до 160 Вт, что делает его идеальным выбором для применения в преобразователях, инверторах, источниках питания и других силовых схемах.
- Напряжение исток-сток макс.: 60В
- Ток стока макс.: 110A
- Сопротивление открытого канала: 5.1 мОм
- Мощность макс.: 160Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В
- Заряд затвора: 130нКл
- Входная емкость: 4555пФ
- Тип монтажа: Through Hole
- Корпус: TO-220AB
- Вес брутто: 2.89 г.
Транзистор IRFB7540PBF широко применяется в различных областях электроники, где требуется высокая мощность и эффективность. Он идеально подходит для использования в импульсных источниках питания, инверторах, преобразователях постоянного тока, системах управления электродвигателями, сварочном оборудовании и многих других устройствах силовой электроники. Благодаря своим характеристикам и надежной конструкции, этот транзистор является отличным выбором для инженеров, проектирующих высокопроизводительные и энергоэффективные электронные системы.