• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

IRFB7540PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 110A

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:Infineon Technologies
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:60В
Ток стока макс.:110A
Сопротивление открытого канала:5.1 мОм
Мощность макс.:160Вт
Тип транзистора:N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:3.7В
Заряд затвора:130нКл
Входная емкость:4555пФ
Тип монтажа:Through Hole
Корпус:TO-220AB
Вес брутто:2.89 г.
Наименование:IRFB7540PBF
Производитель:Infineon Technologies
Описание Eng:MOSFET N CH 60V 110A TO-220AB
Тип упаковки:Tube (туба)
Нормоупаковка:50 шт

Описание

Представляем вашему вниманию высокопроизводительный N-канальный полевой транзистор IRFB7540PBF от Infineon Technologies. Этот мощный MOSFET-транзистор с впечатляющими характеристиками станет незаменимым компонентом в широком спектре электронных устройств и систем силовой электроники.

Транзистор IRFB7540PBF отличается высоким напряжением сток-исток до 60 В, максимальным током стока до 110 А и низким сопротивлением открытого канала всего 5,1 мОм. Благодаря этим параметрам данный компонент способен обеспечивать высокую мощность до 160 Вт, что делает его идеальным выбором для применения в преобразователях, инверторах, источниках питания и других силовых схемах.

  • Напряжение исток-сток макс.: 60В
  • Ток стока макс.: 110A
  • Сопротивление открытого канала: 5.1 мОм
  • Мощность макс.: 160Вт
  • Тип транзистора: N-канал
  • Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В
  • Заряд затвора: 130нКл
  • Входная емкость: 4555пФ
  • Тип монтажа: Through Hole
  • Корпус: TO-220AB
  • Вес брутто: 2.89 г.

Транзистор IRFB7540PBF широко применяется в различных областях электроники, где требуется высокая мощность и эффективность. Он идеально подходит для использования в импульсных источниках питания, инверторах, преобразователях постоянного тока, системах управления электродвигателями, сварочном оборудовании и многих других устройствах силовой электроники. Благодаря своим характеристикам и надежной конструкции, этот транзистор является отличным выбором для инженеров, проектирующих высокопроизводительные и энергоэффективные электронные системы.