Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор MOSFET N-канальный IRFB7730PBF от компании Infineon Technologies. Этот компонент отличается превосходными характеристиками и широким спектром применения в современной электронике.

Транзистор IRFB7730PBF обладает максимальным напряжением исток-сток 75В, допустимым током стока до 195А и максимальной мощностью 375Вт. Его низкое сопротивление открытого канала всего 2.6 мОм обеспечивает высокую эффективность и минимальные потери. Благодаря этим характеристикам данный MOSFET-транзистор идеально подходит для использования в мощных преобразовательных устройствах, инверторах, источниках питания и других высокотоковых приложениях.

• Напряжение исток-сток макс.: 75В
• Ток стока макс.: 195A
• Сопротивление открытого канала: 2.6 мОм
• Мощность макс.: 375Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В
• Заряд затвора: 407нКл
• Входная емкость: 13660пФ
• Тип монтажа: Through Hole
• Корпус: TO-220AB
• Вес брутто: 3.03 г
• Описание Eng: MOSFET N-CH 75V 195A TO220
• Тип упаковки: Tube (туба)
• Нормоупаковка: 50 шт

Транзистор IRFB7730PBF от Infineon Technologies находит широкое применение в различных областях электроники, включая источники питания, преобразователи, инверторы, сварочное оборудование, приводы электродвигателей и многое другое. Его высокая надежность и эффективность делают его незаменимым компонентом для разработчиков современных энергоэффективных устройств.