Представляем вашему вниманию MOSFET транзистор IRFH5020TRPBF от компании Infineon Technologies - надежный и эффективный элемент силовой электроники. Этот N-канальный транзистор с максимальным напряжением сток-исток 200В и максимальным током стока 5.1А обладает отличными характеристиками, которые делают его незаменимым в широком спектре применений.

Основные технические характеристики IRFH5020TRPBF:

• Напряжение исток-сток макс.: 200В
• Ток стока макс.: 5.1A
• Сопротивление открытого канала: 55 мОм
• Мощность макс.: 3.6Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Пороговое напряжение включения макс.: 5В
• Заряд затвора: 54нКл
• Входная емкость: 2290пФ
• Тип монтажа: Surface Mount
• Вес брутто: 0.15 г
• Описание Eng: MOSFET N-CH 200V 5.1A 8VQFN
• Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
• Нормоупаковка: 4000 шт
• Корпус: PQFN 5x6 mm

Транзистор IRFH5020TRPBF находит широкое применение в различных областях электроники, таких как импульсные источники питания, инверторы, преобразователи напряжения, сварочное оборудование, бытовая техника и многое другое. Его высокая надежность, эффективность и универсальность делают его идеальным выбором для инженеров и разработчиков, стремящихся к оптимизации своих электронных систем.