Представляем вашему вниманию полевой транзистор MOSFET N-канального типа IRFH5406TRPBF от компании Infineon Technologies. Данный компонент отличается высокой производительностью и надежностью, что делает его отличным выбором для широкого спектра электронных устройств и применений.

Транзистор IRFH5406TRPBF обладает максимальным напряжением сток-исток 60В и максимальным током стока 11А. Его сопротивление открытого канала составляет всего 14.4 мОм, что обеспечивает низкие потери и высокую эффективность. Кроме того, компонент имеет максимальную мощность 3.6Вт, что позволяет использовать его в схемах с высокой нагрузкой.

• Напряжение исток-сток макс.: 60В
• Ток стока макс.: 11A
• Сопротивление открытого канала: 14.4 мОм
• Мощность макс.: 3.6Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Пороговое напряжение включения макс.: 4В
• Заряд затвора: 35нКл
• Входная емкость: 1256пФ
• Тип монтажа: Surface Mount
• Вес брутто: 0.13 г
• Описание Eng: MOSFET N-CH 60V 40A 8-PQFN
• Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
• Нормоупаковка: 4000 шт
• Корпус: PQFN 5x6 mm

Транзистор IRFH5406TRPBF находит широкое применение в различных областях электроники, включая импульсные источники питания, инверторы, преобразователи напряжения, а также в качестве ключевых элементов в высокопроизводительных коммутационных схемах. Его высокая производительность, надежность и компактные размеры делают его идеальным выбором для широкого спектра современных электронных устройств.