IRFHS8342TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 8.8A
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 8.8A |
| Сопротивление открытого канала: | 16 мОм |
| Мощность макс.: | 2.1Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.35В |
| Заряд затвора: | 8.7нКл |
| Входная емкость: | 600пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Наименование: | IRFHS8342TRPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 4000 шт |
| Корпус: | PQFN6-(2x2) |
Описание
Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор MOSFET N-канала IRFHS8342TRPBF от компании Infineon Technologies. Этот транзистор отличается надежностью, высокой эффективностью и широким спектром применения в современной электронике.
Транзистор IRFHS8342TRPBF обладает максимальным напряжением сток-исток 30В и максимальным током стока 8.8А. Благодаря низкому сопротивлению открытого канала 16 мОм и максимальной мощности 2.1Вт, он обеспечивает высокую производительность и энергоэффективность в различных схемах.
- Напряжение исток-сток макс.: 30В
- Ток стока макс.: 8.8A
- Сопротивление открытого канала: 16 мОм
- Мощность макс.: 2.1Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Особенности: Logic Level Gate
- Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В
- Заряд затвора: 8.7нКл
- Входная емкость: 600пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Нормоупаковка: 4000 шт
- Корпус: PQFN6-(2x2)
Транзистор IRFHS8342TRPBF находит широкое применение в различных областях электроники, таких как источники питания, инверторы, драйверы двигателей, коммутаторы и другие устройства, где требуются высокая производительность, надежность и энергоэффективность. Благодаря своим характеристикам, этот транзистор является отличным выбором для разработчиков, стремящихся создавать современные и эффективные электронные системы.