• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

IRFHS8342TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 8.8A

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:Infineon Technologies
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:30В
Ток стока макс.:8.8A
Сопротивление открытого канала:16 мОм
Мощность макс.:2.1Вт
Тип транзистора:N-канал
Особенности:Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:2.35В
Заряд затвора:8.7нКл
Входная емкость:600пФ
Тип монтажа:Surface Mount
Наименование:IRFHS8342TRPBF
Производитель:Infineon Technologies
Описание Eng:MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN
Тип упаковки:Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:4000 шт
Корпус:PQFN6-(2x2)

Описание

Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор MOSFET N-канала IRFHS8342TRPBF от компании Infineon Technologies. Этот транзистор отличается надежностью, высокой эффективностью и широким спектром применения в современной электронике.

Транзистор IRFHS8342TRPBF обладает максимальным напряжением сток-исток 30В и максимальным током стока 8.8А. Благодаря низкому сопротивлению открытого канала 16 мОм и максимальной мощности 2.1Вт, он обеспечивает высокую производительность и энергоэффективность в различных схемах.

  • Напряжение исток-сток макс.: 30В
  • Ток стока макс.: 8.8A
  • Сопротивление открытого канала: 16 мОм
  • Мощность макс.: 2.1Вт
  • Тип транзистора: N-канал
  • Особенности: Logic Level Gate
  • Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В
  • Заряд затвора: 8.7нКл
  • Входная емкость: 600пФ
  • Тип монтажа: Surface Mount
  • Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
  • Нормоупаковка: 4000 шт
  • Корпус: PQFN6-(2x2)

Транзистор IRFHS8342TRPBF находит широкое применение в различных областях электроники, таких как источники питания, инверторы, драйверы двигателей, коммутаторы и другие устройства, где требуются высокая производительность, надежность и энергоэффективность. Благодаря своим характеристикам, этот транзистор является отличным выбором для разработчиков, стремящихся создавать современные и эффективные электронные системы.