IRFI4229PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 19А 46Вт
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 250В |
| Ток стока макс.: | 19A |
| Сопротивление открытого канала: | 46 мОм |
| Мощность макс.: | 46Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 5В |
| Заряд затвора: | 110нКл |
| Входная емкость: | 4480пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220F |
| Вес брутто: | 3 г. |
| Наименование: | IRFI4229PBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET, N-CH, 250V, 19A, TO-220FP |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор MOSFET N-канальный IRFI4229PBF от известного производителя Infineon Technologies. Данная модель обладает отличными техническими характеристиками и широкими возможностями применения в различных электронных устройствах.
IRFI4229PBF - это мощный N-канальный транзистор с напряжением сток-исток до 250 В и максимальным током стока до 19 А. Низкое сопротивление открытого канала 46 мОм обеспечивает высокую эффективность и малые потери при коммутации. Кроме того, этот транзистор отличается компактным корпусом TO-220F и простотой монтажа, что делает его востребованным решением для самых разнообразных электронных схем.
- Напряжение исток-сток макс.: 250В
- Ток стока макс.: 19A
- Сопротивление открытого канала: 46 мОм
- Мощность макс.: 46Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 5В
- Заряд затвора: 110нКл
- Входная емкость: 4480пФ
- Тип монтажа: Through Hole
- Корпус: TO-220F
- Вес брутто: 3 г
Транзистор IRFI4229PBF находит широкое применение в импульсных источниках питания, инверторах, преобразователях напряжения, сварочном оборудовании, системах управления двигателями и многих других электронных устройствах, где требуются высокая надежность, производительность и энергоэффективность. Благодаря оптимальному сочетанию характеристик, этот транзистор является отличным выбором для разработчиков современной электронной техники.