IRFL014NTRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.7А, 1.5Вт
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 55В |
| Ток стока макс.: | 1.9A |
| Сопротивление открытого канала: | 160 мОм |
| Мощность макс.: | 1Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 11нКл |
| Входная емкость: | 190пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT-223 |
| Вес брутто: | 0.5 г. |
| Наименование: | IRFL014NTRPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | Field-effect transistor, N-channel, 60V 2.7A |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию IRFL014NTRPBF - высокопроизводительный полевой N-канальный транзистор от компании Infineon Technologies. Этот миниатюрный компонент отличается надежностью, высокой мощностью и широким спектром применения в современной электронной аппаратуре.
Транзистор IRFL014NTRPBF обладает впечатляющими техническими характеристиками, которые позволяют использовать его в самых разнообразных схемах. Рассмотрим подробнее ключевые особенности этого компонента:
- Напряжение исток-сток макс.: 55В
- Ток стока макс.: 1.9A
- Сопротивление открытого канала: 160 мОм
- Мощность макс.: 1Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 4В
- Заряд затвора: 11нКл
- Входная емкость: 190пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Корпус: SOT-223
- Вес брутто: 0.5 г
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Нормоупаковка: 2500 шт
Транзистор IRFL014NTRPBF идеально подходит для использования в различных схемах управления, усилителях мощности, ключевых режимах коммутации, преобразователях напряжения и других приложениях, где требуются компактные, надежные и высокопроизводительные полупроводниковые компоненты. Благодаря своим техническим характеристикам, этот транзистор найдет широкое применение в современной электронной промышленности.