IRFP250MPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 30A
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 200В |
| Ток стока макс.: | 30A |
| Сопротивление открытого канала: | 75 мОм |
| Мощность макс.: | 214Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 123нКл |
| Входная емкость: | 2159пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-247AC |
| Наименование: | IRFP250MPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AC |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 25 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию полевой транзистор MOSFET N-канальный IRFP250MPBF от ведущего производителя Infineon Technologies. Этот высокопроизводительный компонент отличается впечатляющими техническими характеристиками, что делает его незаменимым выбором для широкого спектра электронных устройств и силовых приложений.
IRFP250MPBF обладает максимальным напряжением сток-исток 200 В и максимальным током стока до 30 А, что обеспечивает надежную работу даже в самых требовательных условиях. Благодаря низкому сопротивлению открытого канала 75 мОм, этот транзистор демонстрирует высокую эффективность и минимальные потери мощности, делая его идеальным для использования в схемах с высокой плотностью мощности.
- Напряжение исток-сток макс.: 200В
- Ток стока макс.: 30A
- Сопротивление открытого канала: 75 мОм
- Мощность макс.: 214Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 4В
- Заряд затвора: 123нКл
- Входная емкость: 2159пФ
- Тип монтажа: Through Hole
- Корпус: TO-247AC
- Описание Eng: MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AC
- Тип упаковки: Tube (туба)
- Нормоупаковка: 25 шт
Транзистор IRFP250MPBF находит широкое применение в различных областях электроники, включая силовые преобразователи, источники питания, инверторы, сварочные аппараты, электродвигатели и многое другое. Его высокая производительность, надежность и эффективность делают его идеальным выбором для инженеров, стремящихся создавать передовые электронные устройства.