Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор MOSFET N-канала IRFP3006PBF от Infineon Technologies. Этот надежный и эффективный компонент идеально подходит для широкого спектра применений в электронных устройствах, требующих высокую мощность и производительность.

Транзистор IRFP3006PBF отличается превосходными техническими характеристиками, такими как высокое напряжение сток-исток до 60В, впечатляющий максимальный ток стока до 195А и малое сопротивление открытого канала всего 2.5 мОм. Эти параметры позволяют использовать данный MOSFET в мощных схемах управления двигателями, импульсных источниках питания, сварочном оборудовании и других высокотоковых приложениях.

• Напряжение исток-сток макс.: 60В
• Ток стока макс.: 195A
• Сопротивление открытого канала: 2.5 мОм
• Мощность макс.: 375Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Особенности: Logic Level Gate
• Пороговое напряжение включения макс.: 4В
• Заряд затвора: 300нКл
• Входная емкость: 8970пФ
• Тип монтажа: Through Hole
• Корпус: TO-247AC
• Вес брутто: 2.91 г

Транзистор IRFP3006PBF находит широкое применение в различных областях электроники, таких как импульсные источники питания, регуляторы напряжения, инверторы для возобновляемых источников энергии, приводы электродвигателей и многое другое. Его высокая производительность, надежность и энергоэффективность делают его идеальным выбором для инженеров, разрабатывающих современные электронные устройства.