• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

IRFP3306PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120А 220Вт

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:Infineon Technologies
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:60В
Ток стока макс.:120A
Сопротивление открытого канала:4.2 мОм
Мощность макс.:220Вт
Тип транзистора:N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:120нКл
Входная емкость:4520пФ
Тип монтажа:Through Hole
Корпус:TO-247AC
Вес брутто:7.45 г.
Наименование:IRFP3306PBF
Производитель:Infineon Technologies
Описание Eng:MOSFET N-CH 60V 120A TO-247AC
Тип упаковки:Tube (туба)
Нормоупаковка:25 шт

Описание

Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор IRFP3306PBF от известного производителя Infineon Technologies. Данный транзистор относится к категории одиночных MOSFET-транзисторов и обладает рядом выдающихся характеристик, делающих его незаменимым компонентом в широком спектре электронных устройств.

IRFP3306PBF - это N-канальный MOSFET-транзистор с максимальным напряжением сток-исток 60В, максимальным током стока 120А и максимальной мощностью 220Вт. Его низкое сопротивление открытого канала 4.2 мОм и высокая плотность тока обеспечивают эффективное управление мощными нагрузками и делают этот транзистор идеальным выбором для применения в импульсных источниках питания, инверторах, электроприводах и других высокомощных электронных устройствах.

  • Напряжение исток-сток макс.: 60В
  • Ток стока макс.: 120A
  • Сопротивление открытого канала: 4.2 мОм
  • Мощность макс.: 220Вт
  • Тип транзистора: N-канал
  • Пороговое напряжение включения макс.: 4В
  • Заряд затвора: 120нКл
  • Входная емкость: 4520пФ
  • Тип монтажа: Through Hole
  • Корпус: TO-247AC
  • Вес брутто: 7.45 г

Благодаря своим техническим характеристикам, IRFP3306PBF находит широкое применение в различных областях электроники. Он успешно используется в мощных источниках питания, инверторах для возобновляемых источников энергии, электроприводах, сварочном оборудовании, усилителях мощности и других устройствах, где требуется высокая производительность и надежность. Этот транзистор является отличным выбором для инженеров и разработчиков, стремящихся создавать эффективные и надежные электронные системы.