IRFP4310ZPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 120А 280Вт
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 120A |
| Сопротивление открытого канала: | 6 мОм |
| Мощность макс.: | 280Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 170нКл |
| Входная емкость: | 6860пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-247AC |
| Вес брутто: | 7.98 г. |
| Наименование: | IRFP4310ZPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 100V 120A TO-247AC, 280W |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 25 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор MOSFET N-канала IRFP4310ZPBF от компании Infineon Technologies. Этот компонент отличается впечатляющими техническими характеристиками и широкими возможностями применения в различных электронных устройствах.
IRFP4310ZPBF является мощным N-канальным MOSFET транзистором с максимальным напряжением сток-исток до 100В, максимальным током стока до 120А и максимальной мощностью до 280Вт. Благодаря низкому сопротивлению открытого канала в 6 мОм, этот транзистор обеспечивает высокую эффективность и малые потери в силовых схемах.
- Напряжение исток-сток макс.: 100В
- Ток стока макс.: 120А
- Сопротивление открытого канала: 6 мОм
- Мощность макс.: 280Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 4В
- Заряд затвора: 170нКл
- Входная емкость: 6860пФ
- Тип монтажа: Through Hole
- Корпус: TO-247AC
- Вес брутто: 7.98 г
- Описание на английском: MOSFET N-CH 100V 120A TO-247AC, 280W
- Тип упаковки: Tube (туба)
- Нормоупаковка: 25 шт
Транзистор IRFP4310ZPBF находит широкое применение в различных силовых схемах, таких как импульсные источники питания, инверторы, регуляторы напряжения, электроприводы и другие устройства, где требуется высокая мощность и эффективность. Благодаря своим выдающимся характеристикам, этот транзистор является отличным выбором для инженеров, разрабатывающих современные электронные системы.