Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор IRFP4768PBF от компании Infineon Technologies. Этот мощный N-канальный MOSFET транзистор предназначен для использования в широком спектре электронных устройств, требующих надежного и эффективного управления током и напряжением.

Благодаря своим выдающимся характеристикам, IRFP4768PBF является идеальным выбором для применения в силовой электронике, промышленном оборудовании, источниках питания и других областях, где необходимы высокая производительность и надежность.

• Напряжение исток-сток макс.: 250В
• Ток стока макс.: 93A
• Сопротивление открытого канала: 17.5 мОм
• Мощность макс.: 520Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Пороговое напряжение включения макс.: 5В
• Заряд затвора: 270нКл
• Входная емкость: 10880пФ
• Тип монтажа: Through Hole
• Корпус: TO-247AC
• Вес брутто: 7.08 г.

IRFP4768PBF находит широкое применение в таких областях, как импульсные источники питания, инверторы, преобразователи напряжения, электродвигатели и другие высокомощные электронные системы. Благодаря высокой производительности и надежности, этот транзистор является отличным выбором для профессионалов, стремящихся к максимальной эффективности и производительности своих устройств.