Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор IRFP7718PBF от компании Infineon Technologies. Этот мощный N-канальный MOSFET транзистор отличается впечатляющими техническими характеристиками, что делает его идеальным решением для широкого спектра электронных устройств и промышленных применений.

Ключевые характеристики транзистора IRFP7718PBF:

• Напряжение исток-сток макс.: 75В
• Ток стока макс.: 195A
• Сопротивление открытого канала: 1.8 мОм
• Мощность макс.: 517Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В
• Заряд затвора: 830нКл
• Входная емкость: 29550пФ
• Тип монтажа: Through Hole
• Корпус: TO-247
• Вес брутто: 7 г

Благодаря своим превосходным характеристикам, транзистор IRFP7718PBF находит широкое применение в различных областях электроники. Он идеально подходит для использования в мощных источниках питания, инверторах, преобразователях напряжения, электродвигателях, сварочном оборудовании и многих других устройствах, где требуется высокая мощность и надежность. Этот транзистор станет надежным и эффективным решением для ваших проектов.