IRFPS3815PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 105А 441Вт
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 150В |
| Ток стока макс.: | 105A |
| Сопротивление открытого канала: | 15 мОм |
| Мощность макс.: | 441Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 5В |
| Заряд затвора: | 390нКл |
| Входная емкость: | 6810пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Вес брутто: | 8.5 г. |
| Наименование: | IRFPS3815PBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 150V 105A SUPER247 |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 25 шт |
| Корпус: | Super-247 (TO-274AA) |
Описание
Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор MOSFET N-канальный IRFPS3815PBF от компании Infineon Technologies. Этот транзистор обладает впечатляющими характеристиками и широким спектром применения в различных областях электроники.
IRFPS3815PBF отличается высоким напряжением сток-исток до 150В, максимальным током стока до 105А и низким сопротивлением открытого канала всего 15 мОм. Данные параметры позволяют использовать этот транзистор в мощных схемах, где требуется эффективное управление большими токами и напряжениями.
- Напряжение исток-сток макс.: 150В
- Ток стока макс.: 105A
- Сопротивление открытого канала: 15 мОм
- Мощность макс.: 441Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 5В
- Заряд затвора: 390нКл
- Входная емкость: 6810пФ
- Тип монтажа: Through Hole
- Вес брутто: 8.5 г
- Описание Eng: MOSFET N-CH 150V 105A SUPER247
- Тип упаковки: Tube (туба)
- Нормоупаковка: 25 шт
- Корпус: Super-247 (TO-274AA)
Благодаря своим характеристикам, IRFPS3815PBF находит широкое применение в различных электронных устройствах, таких как: источники питания, инверторы, регуляторы напряжения, приводы электродвигателей, сварочное оборудование и другие высокомощные схемы. Этот транзистор является отличным выбором для инженеров, стремящихся к надежности, эффективности и высокой производительности своих разработок.