• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

IRFPS3815PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 105А 441Вт

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:Infineon Technologies
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:150В
Ток стока макс.:105A
Сопротивление открытого канала:15 мОм
Мощность макс.:441Вт
Тип транзистора:N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:390нКл
Входная емкость:6810пФ
Тип монтажа:Through Hole
Вес брутто:8.5 г.
Наименование:IRFPS3815PBF
Производитель:Infineon Technologies
Описание Eng:MOSFET N-CH 150V 105A SUPER247
Тип упаковки:Tube (туба)
Нормоупаковка:25 шт
Корпус:Super-247 (TO-274AA)

Описание

Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор MOSFET N-канальный IRFPS3815PBF от компании Infineon Technologies. Этот транзистор обладает впечатляющими характеристиками и широким спектром применения в различных областях электроники.

IRFPS3815PBF отличается высоким напряжением сток-исток до 150В, максимальным током стока до 105А и низким сопротивлением открытого канала всего 15 мОм. Данные параметры позволяют использовать этот транзистор в мощных схемах, где требуется эффективное управление большими токами и напряжениями.

  • Напряжение исток-сток макс.: 150В
  • Ток стока макс.: 105A
  • Сопротивление открытого канала: 15 мОм
  • Мощность макс.: 441Вт
  • Тип транзистора: N-канал
  • Пороговое напряжение включения макс.:
  • Заряд затвора: 390нКл
  • Входная емкость: 6810пФ
  • Тип монтажа: Through Hole
  • Вес брутто: 8.5 г
  • Описание Eng: MOSFET N-CH 150V 105A SUPER247
  • Тип упаковки: Tube (туба)
  • Нормоупаковка: 25 шт
  • Корпус: Super-247 (TO-274AA)

Благодаря своим характеристикам, IRFPS3815PBF находит широкое применение в различных электронных устройствах, таких как: источники питания, инверторы, регуляторы напряжения, приводы электродвигателей, сварочное оборудование и другие высокомощные схемы. Этот транзистор является отличным выбором для инженеров, стремящихся к надежности, эффективности и высокой производительности своих разработок.