• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

IRFR120ZTRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 8.7A

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:Infineon Technologies
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:100В
Ток стока макс.:8.7A
Сопротивление открытого канала:190 мОм
Мощность макс.:35Вт
Тип транзистора:N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:10нКл
Входная емкость:310пФ
Тип монтажа:Surface Mount
Корпус:DPAK/TO-252AA
Наименование:IRFR120ZTRPBF
Производитель:Infineon Technologies
Описание Eng:MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
Тип упаковки:Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:2000 шт

Описание

Представляем вашему вниманию MOSFET транзистор IRFR120ZTRPBF от надежного производителя Infineon Technologies. Этот транзистор с N-каналом обладает высоким напряжением сток-исток до 100В и максимальным током стока до 8.7А, что делает его отличным выбором для широкого спектра электронных устройств.

Благодаря своим характеристикам, IRFR120ZTRPBF идеально подходит для использования в различных силовых схемах, схемах управления двигателями, импульсных источниках питания и других применениях, требующих надежного и эффективного ключевого элемента.

  • Напряжение исток-сток макс.: 100В
  • Ток стока макс.: 8.7A
  • Сопротивление открытого канала: 190 мОм
  • Мощность макс.: 35Вт
  • Тип транзистора: N-канал
  • Пороговое напряжение включения макс.: 4В
  • Заряд затвора: 10нКл
  • Входная емкость: 310пФ
  • Тип монтажа: Surface Mount
  • Корпус: DPAK/TO-252AA
  • Описание Eng: MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
  • Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
  • Нормоупаковка: 2000 шт

Транзистор IRFR120ZTRPBF отлично подходит для использования в схемах управления двигателями, импульсных источниках питания, инверторах, преобразователях напряжения и других применениях, где требуется надежный и эффективный ключевой элемент с высоким напряжением и током. Благодаря своим характеристикам, этот транзистор гарантирует стабильную и безотказную работу в самых ответственных электронных устройствах.