IRFR3707ZTRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 56A
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 56A |
| Сопротивление открытого канала: | 9.5 мОм |
| Мощность макс.: | 50Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.25В |
| Заряд затвора: | 14нКл |
| Входная емкость: | 1150пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | DPAK/TO-252AA |
| Вес брутто: | 0.41 г. |
| Наименование: | IRFR3707ZTRPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 30V 56A DPAK |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2000 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию высококачественный полевой транзистор MOSFET от компании Infineon Technologies - IRFR3707ZTRPBF. Этот мощный N-канальный транзистор обладает рядом уникальных характеристик, которые делают его незаменимым компонентом в широком спектре электронных устройств.
Ключевыми особенностями данного транзистора являются высокое напряжение сток-исток до 30В, внушительный ток стока до 56А и сверхнизкое сопротивление открытого канала всего 9.5 мОм. Эти параметры позволяют использовать IRFR3707ZTRPBF в качестве высокоэффективного ключевого коммутирующего элемента в мощных электронных схемах.
- Напряжение исток-сток макс.: 30В
- Ток стока макс.: 56A
- Сопротивление открытого канала: 9.5 мОм
- Мощность макс.: 50Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Особенности: Logic Level Gate
- Пороговое напряжение включения макс.: 2.25В
- Заряд затвора: 14нКл
- Входная емкость: 1150пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Корпус: DPAK/TO-252AA
Транзистор IRFR3707ZTRPBF от Infineon Technologies находит широкое применение в различных областях электроники, включая импульсные источники питания, инверторы для солнечных панелей, электродвигатели, усилители мощности и другие высокотоковые устройства. Его сочетание высокой производительности и компактного поверхностного монтажа делает этот компонент незаменимым выбором для современных, энергоэффективных электронных систем.