• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

IRFR3707ZTRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 56A

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:Infineon Technologies
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:30В
Ток стока макс.:56A
Сопротивление открытого канала:9.5 мОм
Мощность макс.:50Вт
Тип транзистора:N-канал
Особенности:Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:2.25В
Заряд затвора:14нКл
Входная емкость:1150пФ
Тип монтажа:Surface Mount
Корпус:DPAK/TO-252AA
Вес брутто:0.41 г.
Наименование:IRFR3707ZTRPBF
Производитель:Infineon Technologies
Описание Eng:MOSFET N-CH 30V 56A DPAK
Тип упаковки:Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:2000 шт

Описание

Представляем вашему вниманию высококачественный полевой транзистор MOSFET от компании Infineon Technologies - IRFR3707ZTRPBF. Этот мощный N-канальный транзистор обладает рядом уникальных характеристик, которые делают его незаменимым компонентом в широком спектре электронных устройств.

Ключевыми особенностями данного транзистора являются высокое напряжение сток-исток до 30В, внушительный ток стока до 56А и сверхнизкое сопротивление открытого канала всего 9.5 мОм. Эти параметры позволяют использовать IRFR3707ZTRPBF в качестве высокоэффективного ключевого коммутирующего элемента в мощных электронных схемах.

  • Напряжение исток-сток макс.: 30В
  • Ток стока макс.: 56A
  • Сопротивление открытого канала: 9.5 мОм
  • Мощность макс.: 50Вт
  • Тип транзистора: N-канал
  • Особенности: Logic Level Gate
  • Пороговое напряжение включения макс.: 2.25В
  • Заряд затвора: 14нКл
  • Входная емкость: 1150пФ
  • Тип монтажа: Surface Mount
  • Корпус: DPAK/TO-252AA

Транзистор IRFR3707ZTRPBF от Infineon Technologies находит широкое применение в различных областях электроники, включая импульсные источники питания, инверторы для солнечных панелей, электродвигатели, усилители мощности и другие высокотоковые устройства. Его сочетание высокой производительности и компактного поверхностного монтажа делает этот компонент незаменимым выбором для современных, энергоэффективных электронных систем.