IRF7492PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 3.7А 2.5Вт, 0.079 Ом
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 200В |
| Ток стока макс.: | 3.7A |
| Сопротивление открытого канала: | 79 мОм |
| Мощность макс.: | 2.5Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.5В |
| Заряд затвора: | 59нКл |
| Входная емкость: | 1820пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Вес брутто: | 0.2 г. |
| Наименование: | IRF7492PBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-канал 200В/ 3.7А/2.5Вт/0.079 Ом HEXFRED |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 95 шт |
| Корпус: | SO-8 |
Описание
IRF7492PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 3.7А 2.5Вт, 0.079 Ом - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 3.7A Сопротивление открытого канала: 79 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Производитель: Infineon Technologies. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.