IRFR540ZTRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 35A
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 35A |
| Сопротивление открытого канала: | 28.5 мОм |
| Мощность макс.: | 91Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 59нКл |
| Входная емкость: | 1690пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | DPAK/TO-252AA |
| Вес брутто: | 0.64 г. |
| Наименование: | IRFR540ZTRPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 100V 35A DPAK |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2000 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор IRFR540ZTRPBF от ведущего производителя Infineon Technologies. Данная модель является отличным выбором для широкого спектра применений, где требуется высокая коммутационная способность и надежность в работе.
Этот N-канальный MOSFET транзистор обладает впечатляющими характеристиками, такими как максимальное напряжение сток-исток 100В, ток стока до 35А и малое сопротивление открытого канала всего 28.5 мОм. Благодаря этим параметрам, IRFR540ZTRPBF идеально подходит для использования в качестве ключевого коммутатора, драйвера мощных нагрузок и других силовых приложениях.
- Напряжение исток-сток макс.: 100В
- Ток стока макс.: 35А
- Сопротивление открытого канала: 28.5 мОм
- Мощность макс.: 91Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 4В
- Заряд затвора: 59нКл
- Входная емкость: 1690пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Корпус: DPAK/TO-252AA
- Вес брутто: 0.64 г
- Описание Eng: MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Нормоупаковка: 2000 шт
Транзистор IRFR540ZTRPBF находит широкое применение в различных областях электроники, включая импульсные источники питания, преобразователи напряжения, электродвигатели, промышленную автоматику и многое другое. Его надежность, высокая коммутационная способность и компактные размеры делают его отличным выбором для инженеров, разрабатывающих современные электронные устройства.