IRFR7440TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 90A
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 40В |
| Ток стока макс.: | 90A |
| Сопротивление открытого канала: | 2.4 мОм |
| Мощность макс.: | 140Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3.9В |
| Заряд затвора: | 134нКл |
| Входная емкость: | 4610пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | DPAK/TO-252AA |
| Вес брутто: | 0.6 г. |
| Наименование: | IRFR7440TRPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N CH 40V 90A DPAK |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2000 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор MOSFET N-канала IRFR7440TRPBF от компании Infineon Technologies. Этот транзистор отличается надежностью, высокой коммутационной способностью и широкими возможностями применения в различных электронных устройствах.
Транзистор IRFR7440TRPBF обладает максимальным напряжением сток-исток 40 В и максимальным током стока 90 А. Сопротивление открытого канала составляет всего 2,4 мОм, что обеспечивает минимальные потери и высокую эффективность работы устройств. Кроме того, транзистор рассчитан на максимальную мощность 140 Вт, что позволяет использовать его в мощных схемах.
- Напряжение исток-сток макс.: 40В
- Ток стока макс.: 90A
- Сопротивление открытого канала: 2.4 мОм
- Мощность макс.: 140Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В
- Заряд затвора: 134нКл
- Входная емкость: 4610пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Корпус: DPAK/TO-252AA
- Вес брутто: 0.6 г
- Описание Eng: MOSFET N CH 40V 90A DPAK
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Нормоупаковка: 2000 шт
Транзистор IRFR7440TRPBF находит широкое применение в различных областях электроники, таких как импульсные источники питания, инверторы, преобразователи напряжения, регуляторы мощности, сварочное оборудование и другие устройства, где требуется высокая коммутационная способность и эффективность. Благодаря своим характеристикам, он является отличным выбором для инженеров, стремящихся создавать высокопроизводительные и надежные электронные системы.