• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

IRFS3206TRRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:Infineon Technologies
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:60В
Ток стока макс.:120A
Сопротивление открытого канала:3 мОм
Мощность макс.:300Вт
Тип транзистора:N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:170нКл
Входная емкость:6540пФ
Тип монтажа:Surface Mount
Корпус:D2Pak (TO-263)
Вес брутто:1.8 г.
Наименование:IRFS3206TRRPBF
Производитель:Infineon Technologies
Описание Eng:MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Тип упаковки:Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:800 шт

Описание

Представляем вашему вниманию мощный полевой транзистор MOSFET N-канальный IRFS3206TRRPBF от компании Infineon Technologies. Этот высокопроизводительный компонент предназначен для использования в широком спектре электронных устройств, где требуется надежное и эффективное управление высокими токами и напряжениями.

Транзистор IRFS3206TRRPBF отличается высокими рабочими характеристиками, малым сопротивлением открытого канала и возможностью коммутации токов до 120 ампер при напряжении до 60 вольт. Благодаря таким параметрам, он идеально подходит для применения в силовой электронике, преобразователях, инверторах, источниках питания и других устройствах, где требуется управление значительными мощностями.

  • Напряжение исток-сток макс.: 60В
  • Ток стока макс.: 120A
  • Сопротивление открытого канала: 3 мОм
  • Мощность макс.: 300Вт
  • Тип транзистора: N-канал
  • Пороговое напряжение включения макс.: 4В
  • Заряд затвора: 170нКл
  • Входная емкость: 6540пФ
  • Тип монтажа: Surface Mount
  • Корпус: D2Pak (TO-263)
  • Вес брутто: 1.8 г.

Транзистор IRFS3206TRRPBF от Infineon Technologies находит широкое применение в таких областях, как промышленная автоматизация, системы возобновляемой энергетики, электротранспорт, бытовая техника и многое другое. Благодаря своим выдающимся характеристикам, он является надежным и эффективным решением для инженеров и разработчиков, работающих над созданием современных высокопроизводительных электронных систем.