IRFTS9342TRPBF, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 5.8A
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 5.8A |
| Сопротивление открытого канала: | 40 мОм |
| Мощность макс.: | 2Вт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.4В |
| Заряд затвора: | 12нКл |
| Входная емкость: | 595пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | 6-TSOP |
| Вес брутто: | 0.05 г. |
| Наименование: | IRFTS9342TRPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 30V 5.8A 6TSOP |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор IRFTS9342TRPBF от компании Infineon Technologies. Этот транзистор P-канала с логическим управлением затвором обладает отличными характеристиками и широким спектром применения в современной электронике.
IRFTS9342TRPBF является надежным и эффективным решением для использования в различных силовых схемах, схемах управления и коммутации. Его высокая пропускная способность, низкое сопротивление открытого канала и малые размеры корпуса делают этот транзистор привлекательным выбором для инженеров, работающих над оптимизацией дизайна электронных устройств.
- Напряжение исток-сток макс.: 30В
- Ток стока макс.: 5.8A
- Сопротивление открытого канала: 40 мОм
- Мощность макс.: 2Вт
- Тип транзистора: P-канал
- Особенности: Logic Level Gate
- Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В
- Заряд затвора: 12нКл
- Входная емкость: 595пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Корпус: 6-TSOP
- Вес брутто: 0.05 г
Транзистор IRFTS9342TRPBF от Infineon Technologies идеально подходит для использования в различных силовых схемах, таких как импульсные источники питания, инверторы, преобразователи напряжения, а также в схемах управления и коммутации. Его высокая надежность и эффективность делают его отличным выбором для широкого спектра применений в современной электронной промышленности.