IRFZ44NSTRLPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 49А 94Вт
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 55В |
| Ток стока макс.: | 49A |
| Сопротивление открытого канала: | 17.5 мОм |
| Мощность макс.: | 3.8Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 63нКл |
| Входная емкость: | 1470пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | D2Pak (TO-263) |
| Вес брутто: | 1.35 г. |
| Наименование: | IRFZ44NSTRLPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 800 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор IRFZ44NSTRLPBF от компании Infineon Technologies. Этот N-канальный MOSFET-транзистор обладает отличными характеристиками и предназначен для широкого спектра применений в электронных устройствах.
Транзистор IRFZ44NSTRLPBF отличается высокой надежностью, стабильностью параметров и длительным сроком службы. Благодаря оптимизированной конструкции и технологии изготовления, данная модель демонстрирует превосходные рабочие характеристики при максимальной эффективности.
- Напряжение исток-сток макс.: 55В
- Ток стока макс.: 49A
- Сопротивление открытого канала: 17.5 мОм
- Мощность макс.: 3.8Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 4В
- Заряд затвора: 63нКл
- Входная емкость: 1470пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Корпус: D2Pak (TO-263)
- Вес брутто: 1.35 г.
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Нормоупаковка: 800 шт
Транзистор IRFZ44NSTRLPBF находит широкое применение в различных областях электроники, таких как импульсные источники питания, управление двигателями, коммутация мощных нагрузок, усилители мощности и другие схемы, требующие надежного и эффективного ключевого элемента. Его высокая производительность и превосходные характеристики делают его идеальным выбором для инженеров, разрабатывающих современные электронные устройства.