IRFZ44ZSTRRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 51A
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 55В |
| Ток стока макс.: | 51A |
| Сопротивление открытого канала: | 13.9 мОм |
| Мощность макс.: | 80Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 43нКл |
| Входная емкость: | 1420пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | D2Pak (TO-263) |
| Вес брутто: | 1.2 г. |
| Наименование: | IRFZ44ZSTRRPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 800 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор MOSFET N-канала IRFZ44ZSTRRPBF от компании Infineon Technologies. Этот транзистор отличается высокой надежностью, эффективностью и широким диапазоном применения в современной электронной промышленности.
Благодаря своим выдающимся характеристикам, IRFZ44ZSTRRPBF является отличным выбором для использования в различных силовых схемах, импульсных источниках питания, инверторах, регуляторах напряжения и других приложениях, требующих высокой производительности и надежности.
- Напряжение исток-сток макс.: 55В
- Ток стока макс.: 51A
- Сопротивление открытого канала: 13.9 мОм
- Мощность макс.: 80Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 4В
- Заряд затвора: 43нКл
- Входная емкость: 1420пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Корпус: D2Pak (TO-263)
- Вес брутто: 1.2 г.
- Описание Eng: MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Нормоупаковка: 800 шт
Транзистор IRFZ44ZSTRRPBF широко используется в мощных источниках питания, регуляторах напряжения, инверторах, высокоскоростных ключевых схемах, устройствах управления двигателями и других приложениях, требующих высокой производительности и надежности. Его компактный корпус и простота монтажа делают его отличным выбором для современных электронных устройств.